"磁気トンネル接合"の検索結果

  • 磁気トンネル接合素子、未踏の一桁ナノメートル領域で動作実現

    AIMRについて 概要 組織・運営 戦略 公募情報 アクセスマップ 研究 研究者・研究室一覧 研究分野 3つの... sh サイト内検索 検索 プレスリリース Press Releases 磁気トンネル接合素子、未踏の一桁ナノメートル領域で動作実現 2018年02月... 所(AIMR) 文部科学省 内閣府 科学技術振興機構(JST) 磁気トンネル接合素子、未踏の一桁ナノメートル領域で動作実現 ~超大容量... ポイント ・最小直径3.8ナノメートルまでの極微細高性能磁気トンネル接合素子を開発 ・形状磁気異方性の利用により1桁ナノメート...
  • スピントロニクス: 磁気トンネル接合はフェリ磁性体の時代へ

    AIMRについて 概要 組織・運営 戦略 公募情報 アクセスマップ 研究 研究者・研究室一覧 研究分野 3つの... イト内検索 検索 リサーチハイライト スピントロニクス: 磁気トンネル接合はフェリ磁性体の時代へ 2019年03月25日 ナノメートルス... 層を用いて、磁気抵抗メモリへの応用が期待できる新しい磁気トンネル接合素子が開発された 磁気トンネル接合断面の走査透過型顕微... 高速動作・大容量磁気抵抗メモリの実現につながる新しい磁気トンネル接合が開発された 1 。 磁気トンネル接合素子は、非磁性絶縁...
  • 室温動作スピントロニクス素子を用いて量子アニーリングマシンの機能を実現

    AIMRについて 概要 組織・運営 戦略 公募情報 アクセスマップ 研究 研究者・研究室一覧 研究分野 3つの... この不揮発性磁気メモリにおいて情報の記憶を担うのが磁気トンネル接合素子(図1上)です。磁気トンネル接合は磁性金属からなる... くなるように設計する必要があります。これがこれまでの磁気トンネル接合素子開発の重要なポイントの一つでした。 スピントロニク... 不揮発性磁気メモリ向け素子とは真逆の特性を示す新概念磁気トンネル接合素子を開発しました。従来型素子と今回の素子の対比が図...
  • 不揮発性メモリー等の性能向上に不可欠な強磁性体中の磁化ダイナミクスの仕組みを解明

    AIMRについて 概要 組織・運営 戦略 公募情報 アクセスマップ 研究 研究者・研究室一覧 研究分野 3つの... oFeB(コバルト鉄ボロン)の積層構造です。CoFeB/MgOを磁気トンネル接合素子 注3 に用いた際に大きなトンネル磁気抵抗効果 注4 ... に磁気異方性が発現することが知られている。 (注 3) 磁気トンネル接合 1ナノメートル程度(ナノメートルnmは10億分の1メート... 絶縁膜に電流が流れる。 (注 4) トンネル磁気抵抗効果 磁気トンネル接合中の2枚の強磁性体の磁化方向の相対角度に磁気トンネル接...
  • マンガン系合金ナノ薄膜を用いたMRAM記憶素子の開発に成功

    AIMRについて 概要 組織・運営 戦略 公募情報 アクセスマップ 研究 研究者・研究室一覧 研究分野 3つの... d nanolayer” (歪みマンガン合金ナノ薄膜を用いた垂直磁気トンネル接合) K. Z. Suzuki, R. Ranjbar, J. Okabayashi, Y Miura,...
  • 大陸を越えて創造の絆を育む

    AIMRについて 概要 組織・運営 戦略 公募情報 アクセスマップ 研究 研究者・研究室一覧 研究分野 3つの... 所短所について報告した。この発表の場で、大野教授は、磁気トンネル接合を利用したデバイス構造と電流誘起磁化反転を利用したデ... った。 フランス・レンヌで開催されたワークショップで、磁気トンネル接合というスピンデバイスについて発表するAIMR主任研究者の... IMR主任研究者である水上成美教授が、さまざまな材料で磁気トンネル接合を形成した実験の結果について報告を行った。こうしたス...
  • スピントロニクス: 力をフルに発揮するハーフメタル

    AIMRについて 概要 組織・運営 戦略 公募情報 アクセスマップ 研究 研究者・研究室一覧 研究分野 3つの... 設計により向上させることができる 図1: 実験に使用した磁気トンネル接合デバイス(左)およびホイスラー合金の結晶構造 (右)の... iホイスラー合金でできている)とトンネル障壁からなる磁気トンネル接合に着目した(図1)。そして、合金中の鉄とマンガンの量を... のです。 キーワード スピントロニクス ホイスラー合金 磁気トンネル接合 次世代電子デバイス Tweet リサーチハイライト一覧へ ...
  • 0.5ナノ秒で書き換え可能な不揮発性磁気メモリの動作を実証

    AIMRについて 概要 組織・運営 戦略 公募情報 アクセスマップ 研究 研究者・研究室一覧 研究分野 3つの... 子における垂直磁場が-10, 0, +10 mTを印加した状態での磁気トンネル接合抵抗の印加電流密度依存性。 θ = 0°のときは無磁場で磁化...
  • 遷移金属や磁性体の高精度な化学反応エッチング技術の開発に成功

    AIMRについて 概要 組織・運営 戦略 公募情報 アクセスマップ 研究 研究者・研究室一覧 研究分野 3つの... よそDRAMと似ており、DRAMにおけるキャパシタ部分をMTJ(磁気トンネル接合)素子に置き換えたような形をしている。MTJ部分には、各...
  • スピントロニクス: 材料組成を調整してメモリー性能を向上させる

    AIMRについて 概要 組織・運営 戦略 公募情報 アクセスマップ 研究 研究者・研究室一覧 研究分野 3つの... 2014年08月25日 材料組成の調整が、マンガン系垂直磁化磁気トンネル接合デバイスを実用化に近づける コバルト濃度が低い場合(左... 高くなる。実際、研究チームが今回開発した膜を使って、磁気トンネル接合デバイスというメモリーデバイスを作製してみたところ、...