"メモリーデバイス"の検索結果

  • 相変化メモリー: 超高速スイッチングで隠れた性質が見えてきた

    AIMRについて 概要 組織・運営 戦略 公募情報 アクセスマップ 研究 研究者・研究室一覧 研究分野 3つの... グで隠れた性質が見えてきた 2015年10月26日 高速相変化メモリーデバイスの温度依存性が予想外に複雑であることが明らかになり、... 力的だ。実際、カルコゲナイドなどを用いる薄膜系相変化メモリーデバイスは、従来の磁気ハードディスクドライブの約10万倍の速度... する最も一般的な法則であるアレニウスの法則は、相変化メモリーデバイスに用いられるような幅広い温度領域では成り立たない。そ...
  • 相変態: 次世代ナノデバイスへの新展開

    AIMRについて 概要 組織・運営 戦略 公募情報 アクセスマップ 研究 研究者・研究室一覧 研究分野 3つの... 5ナノメートルと高密度であった。このことから、今日のメモリーデバイス(20ナノメートル間隔が標準)よりもチップの記憶容量を... キーワード 原子イメージング ナノスケールパターニング メモリーデバイス 透過型電子顕微鏡法 相変態 ニオブ酸ストロンチウム T...
  • スピントロニクス: 材料組成を調整してメモリー性能を向上させる

    AIMRについて 概要 組織・運営 戦略 公募情報 アクセスマップ 研究 研究者・研究室一覧 研究分野 3つの... 回開発した膜を使って、磁気トンネル接合デバイスというメモリーデバイスを作製してみたところ、非常にうまく機能した。磁場だけ...
  • 電子・正孔対が作る原子層半導体の作製に成功

    AIMRについて 概要 組織・運営 戦略 公募情報 アクセスマップ 研究 研究者・研究室一覧 研究分野 3つの... た一方で、励起子によって出現した電荷密度波を利用したメモリーデバイスなどへの応用展開も急速に進むものと考えられます。 付記...
  • 材料科学とスピントロニクスの新たな始まり

    AIMRについて 概要 組織・運営 戦略 公募情報 アクセスマップ 研究 研究者・研究室一覧 研究分野 3つの... 高速不揮発性メモリー」であるとし、「スピントロニクスメモリーデバイスは、この理想を実現できることがわかっている唯一のデバ...
  • スピントロニクス: 磁性半導体の仕組みが明らかに

    AIMRについて 概要 組織・運営 戦略 公募情報 アクセスマップ 研究 研究者・研究室一覧 研究分野 3つの... スピンを電気的に制御するコンピューティングデバイスやメモリーデバイスを実現するために必要とされる性質です」。 References ...
  • ガラス: 無秩序から無秩序への転移

    AIMRについて 概要 組織・運営 戦略 公募情報 アクセスマップ 研究 研究者・研究室一覧 研究分野 3つの... 移は、ガラスに関する根本的な問題を提起するとともに、メモリーデバイスの開発につながることが期待される As 50 Se 50 薄膜は、... ングに比べて構造変化に関与する原子の数が少ないため、メモリーデバイスの作製に利用できる可能性がある。「次の研究段階として...
  • 2013年

    AIMRについて 概要 組織・運営 戦略 公募情報 アクセスマップ 研究 研究者・研究室一覧 研究分野 3つの... 移は、ガラスに関する根本的な問題を提起するとともに、メモリーデバイスの開発につながることが期待される 2013年05月27日 顕微...
  • AIMR10年の歩み―数学による材料研究の変革

    AIMRについて 概要 組織・運営 戦略 公募情報 アクセスマップ 研究 研究者・研究室一覧 研究分野 3つの... による電子スピンのロッキングだ。今日のコンピューターメモリーデバイスは、こうした特性を利用してスピン-電荷変換を行っている...
  • ブロック共重合体: 貝の接着物質をヒントにした磁気光学膜

    AIMRについて 概要 組織・運営 戦略 公募情報 アクセスマップ 研究 研究者・研究室一覧 研究分野 3つの... 磁場を強めることでMOKEを増強するのだ。 「MOKEは、磁気メモリーデバイスや将来のスピントロニクスデバイスに用いられます。今回...