松下 ステファン悠Ph.D.

職名 助教
グループ 材料物理グループ
研究室 Y.P. Chen-Kumatani Group(新しいタブで開きます)
所在地 片平キャンパス AIMR本館312号室
(〒980-8577 仙台市青葉区片平2-1-1)
電話 022-217-6166
E-Mail m.stephane@tohoku.ac.jp
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研究テーマ

  • 三次元トポロジカル絶縁体の単結晶合成と薄膜試料作製
  • トポロジカル材料の熱電物性
  • トポロジカル材料の輸送特性

主要業績

  • Quantum Hall effect of Dirac surface states of as-grown single crystal flakes in Sn0.02-Bi1.08Sb0.9Te2S without gate control, Applied Physics Letters 115 (2019) 052104-1-5, K. Ichimura, S.Y. Matsushita, K.K. Huynh, K. Tanigaki.
  • Ultrathin film of 3D topological insulators by vapor-phase epitaxy: Surface dominant transport in wide temperature revealed by Seebeck measurement, Physical Review B 99, 195392 (2019), S.Y. Matsushita, K.K. Huynh, Katsumi Tanigaki.
  • Thermoelectric properties of 3D topological insulator: Direct observation of topological surface and its gap opened states, Physical Review Materials 1, 054202 (2017), S.Y. Matsushita, K. K. Huynh, H. Yoshino, N. H. Tu, Y. Tanabe, and K. Tanigaki.
  • Anisotropic electronic band structure of intrinsic Si(110) studied by angle-resolved photoemission spectroscopy and first-principles calculations, Physical Review B 96, 125302 (2017), S.Y. Matsushita, A. Takayama, E. Kawamoto, C. Hu, S. Hagiwara, K. Watanabe, T. Takahashi, and S. Suto.
  • Anisotropic surface phonon dispersion of the hydrogen-terminated Si(110)-(1x1) surface: One-dimensional phonons propagating along the glide planes, Journal of Chemical Physics 140, 104709 (2014), S.Y. Matsushita, K. Matsui, H. Kato, T. Yamada, S. Suto.

受賞歴

  • 東北大学理学研究科物理学専攻賞(2012)
  • 日本表面科学会 第32回表面科学学術会 講演奨励賞(2013)
  • 東北大学青葉理学振興会賞(2015)
  • 東北大学総長賞(2015)