福村 知昭主任研究者 Ph.D.

職名 教授
グループ 材料物理グループ
研究室 福村 知昭研究室
所在地 片平キャンパス AIMRラボ棟5-3号室
(〒980-8577 仙台市青葉区片平2-1-1)
電話 022-217-5944
E-Mail tomoteru.fukumura.e4@tohoku.ac.jp
関連サイト

研究テーマ

  • 酸化物エレクトロニクス (1998-)
  • 酸化物スピントロニクス (1998-)
  • 薄膜エピタキシー (1998-)
  • 固体物性 (1993-)
  • 固体化学 (2010-)

主要業績

  • "Two dimensional superconductivity emerged at monatomic Bi2− square net in layered Y2O2Bi via oxygen incorporation", J. Am. Chem. Soc. 138, 11085−11088 (2016), R. Sei, S. Kitani, T. Fukumura, H. Kawaji, T. Hasegawa
  • "Electrically-induced ferromagnetism at room temperature in cobalt-doped titanium dioxide", Science 332, 1065−1067 (2011), Y. Yamada, K. Ueno, T. Fukumura, H. T. Yuan, H. Shimotani, Y. Iwasa, L. Gu, S. Tsukimoto, Y. Ikuhara, M. Kawasaki
  • "Anomalous Hall effect governed by electron doping in a room-temperature transparent ferromagnetic semiconductor", Nature Mater. 3, 221−224 (2004), H. Toyosaki, T. Fukumura, Y. Yamada, K. Nakajima, T. Chikyow, T. Hasegawa, H. Koinuma, M. Kawasaki
  • "Room temperature ferromagnetism in transparent transition metal-doped titanium dioxide", Science 291, 854−856 (2001), Y. Matsumoto, M. Murakami, T. Shono, T. Hasegawa, T. Fukumura, M. Kawasaki, P. Ahmet, T. Chikyow, S. Koshihara, H. Koinuma
  • "An oxide-diluted magnetic semiconductor: Mn-doped ZnO", Appl. Phys. Lett. 75, 3366−3368 (1999), T. Fukumura, Z. Jin, A. Ohtomo, H. Koinuma, M. Kawasaki

受賞歴

  • 日本学術振興会賞(2011)
  • 文部科学大臣表彰若手科学者賞(2009)
  • トーキン科学技術振興財団研究奨励賞(2009)
  • トムソンサイエンティフィック リサーチフロント賞(2007)
  • 丸文研究奨励賞(2006)