あ行

アモルファス合金
一般的な金属や合金では原子が周期的に配列した結晶構造を持っています。一方、これらの金属や合金も高温では液体であり、その原子配列はランダム構造を有しています。この高温の液体状態から急速に冷却すると結晶化することなくランダム構造を保ったまま凝固する固体があり、このような合金をアモルファス(非晶質)合金と呼びます。また、比熱実験で昇温中にガラス遷移現象が明瞭に観察されるものを金属ガラスと呼んで区別することもあります。
アモルファス相
周期的な(繰り返しの)原子配列を持つ結晶相とは異なり、原子配列がランダムな相のことをさします。
アンペロメトリー法
電極に一定電位を印加した状態で、流れる電流を測る電気化学測定法。電流は電極上で分子が酸化/還元することにより発生します。電流の大きさと酸化還元分子の濃度は比例するので、定量分析に利用することができます。
エネルギーギャップ
シリコンに代表される半導体では、電子が占有する最高のエネルギー準位と、電子が非占有となる最低のエネルギー準位の間にエネルギー差(エネルギーギャップ)が存在します。このエネルギーギャップは、半導体を電界効果等で制御する上での重要なパラメータです。
エネルギー分散型X線分析
電子線などを物体に照射した際に発生する蛍光X線を検出して、そのエネルギー強度から、物体を構成する元素と濃度を調べる元素分析手法です。
エピタキシャル成長
エピタキシャル成長(Epitaxial Growth)とは、薄膜結晶成長技術のひとつです。基板となる結晶の上に結晶成長を行い、下地の基板の結晶面にそろえて配列する成長の様式です。基板と薄膜が同じ物質である場合をホモエピタキシャル、異なる物質である場合をヘテロエピタキシャルと呼びます。結晶成長の方法として分子線エピタキシー法や有機金属気相成長法、液相エピタキシー法などがあります。エピタキシャル成長が起こるには格子定数のほぼ等しい結晶を選ぶ必要があり、温度による膨張係数の近い物でなくてはなりません。
応力‐歪み曲線
物質に外部から力を加えた際、それに抵抗する力(応力)が物質の内部に生じるとともに、歪みが生じます。この応力と歪みの関係を示した曲線のことです。